场效应管|MOSFET|MOS管 - BYCHIP

作为一家专业的分立器件制造商，合科泰生产的二三级管、MOS管、桥堆等产品在市场上应用广泛，本期合科泰主要给大家讲解N沟道MOSFET产品HKTQ50N03与HKTQ80N03的典型应用案例。

N沟道MOS管是一个三端器件，它包含N-沟道区，这个区位于源极和漏极端子中间，端子为 G(栅极)、D(漏极)和S(源极)。N沟道MOS管符号如下图N，箭头符号方向是向内的，箭头符号指定了通道的类型，表示为P通道或N通道。

图N

N沟道MOS管的工作原理是这样的，在N沟道MOS管中，通道是在电子到达时创建的，+Ve电压还将电子从N+源极和漏极区域吸引到沟道中，一旦在漏极和源极之间施加电压，电流就会在源极和漏极之间自由流动，而栅极处的电压只会控制通道内的电荷载流子电子。相反，如果在栅极端施加-Ve电压，则在氧化层下方形成空穴沟道。

一款产品的应用与其产品特性密不可分，合科泰这两款N沟道MOSFET产品具有导通内阻低、小封装以及性能稳定等特点，产品在PD快充、电池管理系统、电动工具等上广为应用。

以MOS管开关电路举例，下图1中为常用的小功率驱动电路，这种适合不要求隔离的小功率开关设备。