場效應管|MOSFET|MOS管 - BYCHIP

N 溝道 MOSFET 通過電子形成電流溝道。因此在 MOSFET 被激活和導通時，電子即可通過電流輕鬆快速地移動。出於 N 溝道 MOSFET 的特殊性，在相同的 RDS(on) 值下，其載流子的遷移率約爲 P 溝道器件的 2 到 3 倍，而 P 溝道芯片尺寸則必須爲 N 溝道芯片的 2 到 3 倍。因此，大電流應用通常首選 MOSFET 晶體管 N 溝道器件。

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