場效應管|MOSFET|MOS管 - BYCHIP

一.防燒MOS管


防燒MOS的應用位置如下，在手機充電線路中VBUS走線上，並聯一顆NMOS，MOS管的D極接VBUS，S極接地，G極接到AP，通過AP通過防燒MOS的打開和關閉。防燒MOS管主要是在充電過程中檢測到充電端口進水、有異物、短路的時候打開防燒MOS管，充電電流從防燒MOS管流過，相當於把VBUS通過一個很小的電阻短路到地上，這時電流會超過充電器的最大輸出電流，觸發充電器輸出短路保護，充電器會發生過流保護無電壓輸出。從而起到保護作用。

防燒MOS管和普通功率MOS管的的一個重要差異的Vth較低，比如PMPB13XNE Vth最大0.9V，這是因爲目前手機平臺的GPIO電壓是1.8V，如果Vth較大1.8V無法保證MOS完全打開。

防燒MOS管的應用位置圖。


實際原理圖連接關係如下，下面是某客戶的某項目的原理圖。


當前幾個手機客戶用的防燒MOS管型號如下：



二.綠廠的VOOC直充電路


可參考我寫的第二篇文章充電5分鐘 通話2小時- OPPO VOOC快充電路，綠廠的VOOC直充用2顆背靠背的NMOS，一顆用做OVP用，一顆用做防漏電用。所用的MOS管型號包含在後面提到的做OVP用的型號中，表2。


三.做OVP開關


在Chargepump充電IC的輸入端，串聯MOS管做OVP開關，MOS管的G極有Chargepump OVP_DRV 腳來控制，輸出電壓達到OVP門限時，充電IC關閉MOS管，進而保護充電IC。


當前一些客戶主要是使用的MOS管型號如下：




四.做OVP開關+防漏電


當無線充電和有線充電使用同一顆充電IC（Chargepump）的時候，在無線充電路徑上串聯2顆NMOS，在有線充電路徑上串聯2顆NMOS，如果像上節一樣只串聯一顆MOS管的話，如黃色路徑——有線充電的時候電壓會通過MOS管的寄生二極管漏到無線充電IC的輸出端，或者如紅色路徑——無線充電的時候電壓會通過MOS管的寄生二極管漏電到Type-C接口。背靠背並聯兩顆就很好的解決了這個問題。MOS 管型號參考表2。


當然有的客戶有線充電和無線充電不是走同一顆充電芯片，有的客戶無線充電會單獨加一顆小功率的Chargepump 充電IC，這種方案有線充電端可以只使用一顆MOS。