場效應管|MOSFET|MOS管 - BYCHIP

MOS管是一種器件半導體，其工作原理是通過在P型半導體和N型半導體之間施加逆電壓PN結，從而實現導電能力。在半導體中，電子必須從低能級跳躍到高能級才能形成自由載流子。當半導體器件受到偏置（P型和N型之間的電壓）時，空穴從P極移動到電極，而電子則從N極移動到P極。由於電位差作用，大部分載流子在濃度差梯度的方向上移動，導致PN結反向擊穿。當外加電壓超過一定值時，少數載流子的數量超過大多數載流子的數量一倍，反向擊穿穿現象就會發生。

在電源適配器、智能家居等產品領域，存在一些痛點需要解決：


產品工作效率提升難點；

產品溫升測試不合格；

器件本身發熱處理困難；

器件晶圓問題。