场效应管|MOSFET|MOS管 - BYCHIP

N 沟道 MOSFET 通过电子形成电流沟道。因此在 MOSFET 被激活和导通时，电子即可通过电流轻松快速地移动。出于 N 沟道 MOSFET 的特殊性，在相同的 RDS(on) 值下，其载流子的迁移率约为 P 沟道器件的 2 到 3 倍，而 P 沟道芯片尺寸则必须为 N 沟道芯片的 2 到 3 倍。因此，大电流应用通常首选 MOSFET 晶体管 N 沟道器件。

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