場效應管|MOSFET|MOS管 - BYCHIP

P 溝道 MOSFET 採用空穴流作爲載流子，其遷移率小於 N 溝道 MOSFET 中的電子流。就功能而言，二者的主要區別在於 P 溝道 MOSFET 需要從柵極到源極的負電壓 (VGS) 才能導通，而 N 溝道 MOSFET 則需要正 VGS 電壓。這使得 P 溝道 MOSFET 成爲高邊開關的理想之選。器件設計簡潔，有利於在有限空間內打造低壓驅動應用和非隔離 POL 產品。P 溝道 MOSFET 特性的一大優勢在於可簡化柵極驅動技術，這通常可降低整體成本。